水冷式等離子清洗機設備簡介及加水冷原因介紹

文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發表時間：2023-02-14

一部分微電子集成電路器件工藝生產過程中，比如已封裝芯片的攝像頭組件，需要等離子清洗機進行表面處理增加活性和去除污染物，但是在輝光處理時，由于等離子體具有一定的溫度，帶電粒子的熱運動，會對組件表面進行物理轟擊和化學反應的雙重作用，同時組件放置在電極托盤上(正負電極)充當了等離子電源的負載，也成為了正負電極。處理時間越長，金屬電極托盤和工件皆有不同程度的升溫。而這些材料特性在超過比如35℃時，會變形變色熱損傷，導致工件廢件，因此為了避免處理溫度過高水冷式等離子清洗機也就因此而產生。

基礎型真空等離子清洗機一般由控制部分、真空腔室部分、等離子電源及耦合部分、氣體部分組成。在一些特殊的工藝段，由于工件的自身熱敏感或生產工藝要求接近刻蝕參數，會在基礎等離子清洗系統上改造耦合方式及托盤托架部分，改進提升進氣抽氣位置方式，改變腔室材質等以達到最佳耦合和處理效果。

等離子清洗機需要加水冷原因

一部分微電子集成電路器件工藝生產過程中，比如已封裝芯片的攝像頭組件，需要等離子清洗系統進行表面處理增加活性和去除污染物。對于1000W，13．56MHz射頻電源，電源本身無需水冷，但是在輝光處理時，由于等離子體具有一定的溫度，帶電粒子的熱運動，會對組件表面進行物理轟擊和化學反應的雙重作用，同時組件放置在電極托盤上(正負電極)充當了等離子電源的負載，也成為了正負電極。處理時間越長，金屬電極托盤和工件皆有不同程度的升溫。而這些材料特性在超過比如35℃時，會變形變色熱損傷，導致工件廢件。故需要對其放置的托盤進行水冷。

對于40kHz中頻電源，功率2000W內，等離子清洗時間只有幾分鐘，則電源及反應倉內靶材皆無需水冷;當功率為3000W以上時，進行等離子處理的同時，電源和反應倉內靶材皆需水冷，因發熱量長期超過電源及靶材可承受范圍，會導致電源損壞靶材裂開或熔化。

水冷式等離子清洗機設備簡介

帶水冷結構電極載物托盤的等離子清洗系統是在成熟的基礎型等離子清洗機結構和工藝基礎上，為電極板做了水冷，系統包括電器控制操作系統、水冷電極托盤，真空腔室、等離子電源、真空泵、氣路系統、水冷機等。

水冷式等離子清洗機結構組成示意圖

清洗工藝流程保留了基礎型等離子清洗機的流程:在壓力到達設定本底壓力時，充入工藝氣體，當腔內壓力進出動態平衡時，利用等離子電源產生的中高頻交變電磁場激發生成等離子體，對被清洗工件表面進行物理轟擊與化學反應雙重作用，使被清洗物表面物質變成粒子和氣態物質，經過抽真空排出，而達到清洗目的。

水冷等離子清洗機電極

本文由國產等離子清洗機廠家納恩科技整理編輯！溫度是等離子體產生的極重要因素，太陽及太陽風(太陽日冕)、熱核聚變就是典型的例子，研究不同溫度下等離子清洗系統內等離子的密度活性，處理速度及均勻性，可選擇性地得到適宜的材料處理種類及厚度和處理后表面材料特性，水冷式等離子清洗機可以避免對基材表面產生熱損傷。