硅基晶片的等離子體表面活化處理提高親水性

文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發表時間：2022-08-22

采用表面活化處理或表面清洗的方法是近幾年在晶圓鍵合及微流控器件制備過程中常用的方法。濕法化學處理過程的表面清洗過程繁復，還會對有源半導體器件及基板表面布線圖案等產生妨礙或損傷，難以在器件制備過程中推廣使用。紫外光表面活化處理過程中，紫外光的輻照能夠有效去除待鍵合材料表面的污物，并能打開材料表面的化學鍵，使能夠促進鍵合的懸掛鍵增多。然而紫外光處理過程中產生的O3外排會對環境及生物產生不良影響，同時紫外光活化設備輻照面積有限，難以對材料表面產生均勻的處理。在晶圓鍵合中常用電容型射頻等離子體對晶圓表面進行處理。電極間高頻電場電離氣體（如O2、N2、H2、Ar），在真空腔中產生均勻等離子體，同時帶電粒子被偏置電壓進行加速對表面轟擊，有效去除晶圓表面污染物和氧化層，實現晶圓表面的活化。

等離子體表面活化實現晶圓直接鍵合是親水晶圓鍵合的一種典型方法，在親水性晶圓直接鍵合中，具有良好潤濕性的光滑表面（粗糙度<0.5nm）之間能夠自發的通過硅醇(Si-OH)之間的脫水反應而實現鍵合。

等離子處理對硅晶片表面潤濕性的影響

對水平放置的硅晶片進行不同時長的氧等離子體表面處理，得到如圖1所示為表面處理時間分別為0s、5s、10s、15s、20s的硅表面水液滴潤濕情況。由圖1可知，未經處理的硅晶片表面液滴保持半徑較小的球冠狀，隨著氧等離子體表面處理時間的增加，硅晶片表面液滴越來越鋪展，當處理時間達到20s時，液滴在硅表面完全鋪展。對各個處理時間硅表面液滴的接觸角分別進行測量，得到如圖2所示的硅晶片表面接觸角隨處理時間變化圖像。未經處理的硅晶片表面接觸角為71.8°，潤濕性較差，而當處理時間增加至20s時，硅晶片表面接觸角降至0°，繼續增加表面處理時間至25s、30s后，接觸角并未發生改變，穩定在0°。

圖一等離子表面處理不同時長硅晶片表面液滴鋪展圖

圖二硅晶片表面接觸角隨等離子表面處理時長變化曲線

未處理硅晶片表面潤濕性差、液滴接觸角大的原因是處理前的硅晶片表面存在碳氫化合物、碳氧化物等污染物。隨著表面處理過程的進行，表面的污染物通過高能粒子轟擊解吸附、被氧化生成揮發性氣體從表面逸出等方式得到清洗。與此同時，氧等離子體直接作用在表面部分區域，產生更多如Si-、Si-O-懸掛鍵，提高表面能與表面活性，能夠與周圍環境中的游離-OH生成部分Si-OH，使得表面的潤濕性提高，接觸角減小。當表面處理時間不斷增長時，更多的表面污染物被清洗，更多的潔凈表面被暴露與等離子體直接作用，產生Si-OH的數量不斷增加，表面潤濕性進一步提高，潤濕角持續下降。直到表面處理時間超過20s后，提高表面潤濕性的親水基團Si-OH增至能夠使液滴完全在硅晶片表面鋪展的程度，潤濕角為0°。

等離子處理對石英晶片表面潤濕性的影響

水平放置石英晶片進行不同時長的氧等離子體表面處理后觀察其表面液滴鋪展狀況得到圖3，其中表面處理時間分別為0s、5s、10s、15s、20s。相較于未處理的硅晶片，未經處理的石英晶片表面球冠狀液滴的直徑較小，隨著氧等離子體表面處理時間的增加，石英晶片表面液滴持續鋪展，當處理時間達到20s時，液滴在石英表面完全鋪展。同理，測量不同時間石英晶片表面的接觸角，得到如圖4所示的石英晶片表面接觸角隨處理時間變化圖像。對比未經處理的硅晶片，未經處理的石英晶片潤濕性較好，表面接觸角為43.2°，大大低于未經處理硅表面的接觸角。當處理時間增加至20s時，硅、石英晶片表面接觸角降至0°，同樣繼續增加表面處理時間至25s、30s后，接觸角也并未發生改變，穩定在0°。

圖三等離子表面處理不同時長石英晶片表面液滴鋪展圖

圖四石英晶片表面接觸角隨等離子表面處理時長變化曲線

氧等離子體在石英表面的作用過程同在硅表面作用過程一致，隨著表面處理時間的增加，表面污染物被逐步清洗，更多清潔表面得到暴露與高能粒子作用產生活性更高的懸掛鍵來結合親水基團。
此外，對表面本征親水的硅和石英晶片，等離子體作用后表面產生高度均一的納米起伏，使得表面親水性增加，從而使得接觸角減小。在某個時間長度的表面處理過后，在晶片適宜表面粗糙度和親水性共同作用下，得到最佳鍵合效果的鍵合界面。

未處理的石英表面除Si-O-Si網絡外，還存在由于制造加工過程中產生的斷鍵。此外，未處理的晶片表面均含有一定的碳氫污染物，石英表面還存在含氮污染物。經氧等離子體表面處理后，硅及石英晶片表面晶片均產生了具有更高活性的Si-O，能夠與更多親和基團成鍵，使得表面Si-OH密度增加，表面親水性增加。經過氧等離子體表面處理后，硅及石英晶片表面潤濕性均隨處理時間的增加而提高，使得表面液滴接觸角不斷下降。等離子體表面活化鍵合有著便捷有效、經濟效益高、能量損耗低及環境友好等突出的優勢