干法等離子清洗主要是利用氧在等離子體中產生的活性氧與光刻膠發生反應生成二氧化碳和水以達到去除光刻膠的目的它能對高溫烘烤過的膠顯影后的底膠以及鋁電極和大劑量離子注入過的膠進行清洗目前普遍采用的干法清洗光刻膠工藝都是在真空室里利用低氣壓氧等離子體來進行清洗。
等離子清洗光刻膠
等離子體清洗具有工藝簡單、操作方便、沒有廢料處理和環境污染等問題。但它不能去除碳和其它非揮發性金屬或金屬氧化物雜質。等離子清洗常用于光刻膠的去除工藝中，在等離子體反應系統中通入少量的氧氣，在強電場作用下，使氧氣產生等離子體，迅速使光刻膠氧化成為可揮發性氣體狀態物質被抽走。這種清洗技術在去膠工藝中具有操作方便、效率高、表面干凈、無劃傷、有利于確保產品的質量等優點，而且它不用酸、堿及有機溶劑等，因此越來越受到人們重視。
等離子清洗去除光刻膠原理
在清洗光刻膠的過程中清洗速率主要取決于活性氧原子，氧原子主要是通過電荷之間的轉換和再結合產生的如方程1所示
Ar++O2→Ar+O2+
O2++e-→O+O*
產生的氧原子運動到硅片表面與光刻膠發生反應。
氧等離子體清洗主要針對光刻膠等有機物,清洗機理為光刻膠中的主要成份C、H會與氧等離子體產生的O自由基結合生成氣體被抽走,此過程可以表示如下:
CxHy+nO*→CO↑+CO2↑H2O↑+....+++
在微電子工業中光刻膠的清洗是一個十分重要的環節清洗工序占整個制造工序的30%~35%傳統上都是采用濕化學方法來進行光刻膠的清洗的它具有不可控制清洗不徹底需要反復清洗等缺點而且會造成環境污染需要建立專門的回收處理站隨著新材料的使用和微器件特征尺寸的進一步減小要求有一種更具選擇性更環保也更能人為控制的清洗技術自20世紀80年代以來等離子體干法清洗被應用于光刻膠的清洗中這種技術不但可以清洗化學結構更為復雜的光刻膠而且不會產生化學廢物有利于環境保護。
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