光刻膠去膠工藝
光刻膠是通過掩膜模板將圖像轉移到膠片上的載體。一旦三維圖像被轉移到覆蓋層上，就不再需要光刻膠，并完全消除了。壓印的殘留物需要和圖像一起處理。一般來說，有兩種類型的清除方法：濕法和干法。
濕法去膠一般分為兩種類型：有機溶液去膠和無機化學介質去膠。機溶液去膠通常是通過將光刻膠溶解在有機合成介質中來進行的，而無機化學介質去膠則是運用無機化學介質(如H2SO4和H2O2)光刻膠的碳化產生超臨界二氧化碳，去除光刻膠。用濕法去除光刻膠的另一主要方法是直接去除光刻膠。去除方法有時用于去除無法分離的光刻膠殘留物。在某些情況下，在干法蝕刻前必須對光刻膠表層進行保護，以防止其溶入排膠。
干法去膠指的是對光刻膠的平等剝離。使用脫膠材料的一種常見方法是通過氧氣、微波或射頻功率非常快速地激發活性氧（活性氧原子），這可以從光刻膠中的碳（氫反應物）中產生二氧化碳、一氧化碳和水，而這種產生物也會被真空裝置抽出，以便于將光刻膠剝落。這種方法通常被稱之為光刻膠的表面揮發法。也可能在氧氣中添加一定比例的氮氣或氫氣，以改善光去膠的穩定性和提高對殘留聚合物的消除。
廣東省深圳市光明區華明城高新產業園A棟5樓 
133-8039-4543